Транзистор P-MOSFET Infineon IRF5210STRLPBF, D2PAK, 10 шт.
2 230 ₴
- В наявності
- Код: TM154036
Транзистор P-MOSFET Infineon IRF5210STRLPBF, D2PAK, 10 шт.В наявності
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-MOSFET транзистор Infineon IRF5210STRLPBF у корпусі D2PAK для SMD-монтажу. Комплект містить 10 одиниць із технологією HEXFET®.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: -100 В
- Струм дрена: -40 А
- Потужність розсіювання: 3,8 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним P-типом із збагачуваним каналом. Номінальна напруга дрена-джерела становить -100 В, а струм дрена — -40 А. Потужність розсіювання обмежена 3,8 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі D2PAK, що призначений для поверхневого монтажу (SMD). Компонент виготовлений за технологією HEXFET®.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 3.8 Вт |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 230 ₴