Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1405PBF, 55В, 133А, TO220AB, набір 10 шт.
2 240 ₴
- В наявності
- Код: TM154035
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Infineon IRF1405PBF у корпусі TO220AB. Монтаж у отвори (THT). Максимальний постійний струм стоку становить 133 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 55 В
- Струм стоку: 133 А
- Потужність розсіювання: 200 Вт
- Опір у відкритому стані: 5,3 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Технологія: HEXFET®
- Кількість у наборі: 10 шт.
Ключові електричні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 55 В, а постійний струм стоку — 133 А. Потужність розсіювання досягає 200 Вт. Напруга на затворі обмежена ±20 В.
Опір та заряд затвора
Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 5,3 мОм. Загальний заряд затвора (Qg) становить 170 нКл. Транзистор виготовлений за технологією HEXFET® від Infineon Technologies, що визначає його конструктивні особливості та електричні характеристики.
Технологія HEXFET®
До складу набору входить 10 одиниць транзисторів. Корпус TO220AB та тип монтажу THT (through-hole technology) дозволяють встановлювати компоненти безпосередньо на друковану плату.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 133 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5.3 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
- Ціна: 2 240 ₴