Транзистор N-MOSFET Infineon IPP80R450P7XKSA1, 800В, 7,1А, CoolMOS P7 (набір 10 шт.)
2 030 ₴
- В наявності
- Код: TM154025
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP80R450P7XKSA1, 800В, 7,1А, CoolMOS P7 (набір 10 шт.)В наявності
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP80R450P7XKSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, виготовлений за технологією CoolMOS™ P7.Компонент розрахований на напругу дрен-джерело 800 В та постійний струм дрену 7,1 А.\n\n
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрен-джерело: 800 В
- Струм дрену: 7,1 А (імпульсний 29 А)
- Технологія: CoolMOS™ P7
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Набір: 10 штук
Електричні параметри
Транзистор має номінальний струм дрену 7,1 А та імпульсний струм дрену 29 А. Максимальна розсіювана потужність становить 73 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,45 Ом, що визначає теплові втрати при роботі.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PG-TO220-3 з монтажем THT.
Версія ESD та напруга затвора
Транзистор має версію ESD. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В, що визначає допустимі режими керування.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 73 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 450 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 030 ₴