Транзистор N-MOSFET Infineon IPP65R125C7XKSA1, 650В, 18А, 5 шт.
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM154024
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP65R125C7XKSA1, 650В, 18А, 5 шт.В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 5 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPP65R125C7XKSA1. Транзистори з напругою стік-витік до 650 В та струмом стіка до 18 А.
- Напруга стік-витік: 650 В
- Струм стіка: 18 А
- Опір у відкритому стані: 0,125 Ом
- Корпус: PG-TO220-3
- Технологія: CoolMOS™
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистори мають напругу стік-витік 650 В та максимальний струм стіка 18 А. Опір у відкритому стані становить 0,125 Ом. Максимальна розсіювана потужність — 101 Вт.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані в корпусі PG-TO220-3. Монтаж здійснюється вивідним методом (THT).
Технологія та комплектація
Використовується технологія CoolMOS™. У комплекті поставляється 5 однакових транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 101 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 18 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 125 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | CoolMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴