Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R180P7XKSA1, 650В, 11А, CoolMOS P7, набір 10 шт.
2 840 ₴
- В наявності
- Код: TM154023
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R180P7XKSA1, 650В, 11А, CoolMOS P7, набір 10 шт.В наявності
2 840 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Infineon IPP60R180P7XKSA1 на технології CoolMOS™ P7. Транзистор з робочою напругою до 650 В. Виготовлені в корпусі PG-TO220-3 для монтажу в отвори (THT).
- Технологія CoolMOS™ P7
- Напруга стік-витік 650 В
- Струм стоку 11 А, імпульсний струм 53 А
- Опір у стані провідності 0,18 Ом
- Корпус PG-TO220-3, монтаж THT
- Набір із 10 транзисторів
Технологія CoolMOS™ P7
Компоненти виготовлені за технологією CoolMOS™ P7. Опір у стані провідності становить 0,18 Ом.
Струмові параметри та напруга
Струм стоку становить 11 А, імпульсний струм — 53 А. Максимальна розсіювана потужність — 72 Вт. Напруга стік-витік — 650 В.
Корпус та монтаж
Корпус PG-TO220-3. Тип монтажу THT (в отвори). Версія ESD. Напруга затвор-витік ±20 В.
Тип транзистора та керування
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 72 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 180 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 840 ₴