Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R099C6XKSA1, 600V, 37.9A, CoolMOS C6, набір 5 шт.

Набір із 5 транзисторів N-MOSFET Infineon IPP60R099C6XKSA1 виготовлений за технологією CoolMOS™ C6. Компоненти мають номінальну напругу 600 В та струм дрена 37,9 А.

• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 37,9 А
• Потужність розсіювання: 278 Вт
• Опір у відкритому стані: 99 мОм
• Технологія: CoolMOS™ C6
• Корпус: PG-TO220-3 (THT)
• Кількість у наборі: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистори працюють із напругою дрена-джерела до 600 В та максимальний струм дрена 37,9 А. Ці параметри визначають робочий діапазон компонента в електричних колах.

Потужність розсіювання

Максимальна потужність розсіювання становить 278 Вт, що дозволяє компонентам працювати в жорстких температурних режимах. Така характеристика важлива для компактних пристроїв, де відведення тепла обмежене.

Технологія та опір

Компоненти виготовлені за технологією CoolMOS™ C6, що забезпечує низький опір у відкритому стані 99 мОм. Це зменшує втрати енергії та нагрівання транзистора під час роботи. Низький опір критичний для підвищення загального ККД пристрою.

Монтаж та комплектація

Транзистори мають корпус PG-TO220-3 та призначені для вивідного монтажу (THT). Тип монтажу THT дозволяє встановлювати компоненти на друковані плати.