Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R022S7XKSA1, 600В, 23А, TO220 (2 шт.)
1 930 ₴
- В наявності
- Код: TM154021
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R022S7XKSA1, 600В, 23А, TO220 (2 шт.)В наявності
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R022S7XKSA1 — це силовий напівпровідниковий прилад із технологією CoolMOS™ S7. Комплект складається з 2 одиниць у корпусі TO220 для монтажу на плату (THT).
- Напруга стік-витік: 600 В
- Постійний струм стіка: 23 А
- Імпульсний струм стіка: 375 А
- Розсіювана потужність: 390 Вт
- Опір у відкритому стані: 47 мОм
- Корпус: TO220, монтаж THT
- Технологія: CoolMOS™ S7
- Комплектація: 2 шт.
Технічні характеристики
Прилад має напругу стік-витік 600 В та постійний струм стіка 23 А. Імпульсний струм стіка може сягати 375 А, а розсіювана потужність становить 390 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 47 мОм.
Особливості конструкції
Транзистор є уніполярним із каналом збагачення. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В. Використання технології CoolMOS™ S7. Прилад має напругу затвор-витік ±20 В. Монтаж виконується методом THT у корпусі TO220. Комплект поставки включає 2 транзистори.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 390 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 23 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 47 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO220 |
| Технологія | CoolMOS™ S7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 930 ₴