Транзистор N-MOSFET Infineon IPP111N15N3GXKSA1, 150В, 83А, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP111N15N3GXKSA1 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, N-MOSFET транзистор. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі PG-TO220-3.

• Струм стоку 83 А
• Напруга стік-витік 150 В
• Низький опір у відкритому стані 11,1 мОм (технологія OptiMOS™ 3)
• Потужність розсіювання 214 Вт
• Корпус PG-TO220-3 з монтажем THT
• Комплект із 10 транзисторів

Потужність та струм

Транзистор розрахований на максимальний струм стоку 83 А та напругу стік-витік 150 В. Потужність розсіювання становить 214 Вт, що потребує ефективного відведення тепла.

Низький опір та технологія OptiMOS™ 3

Завдяки технології OptiMOS™ 3 транзистор має низький опір у відкритому стані 11,1 мОм.

Зручний монтаж THT

Компонент виконаний у корпусі PG-TO220-3 з виводами для встановлення в отвори (THT). Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В. Уніполярна структура транзистора та канал збагачення. Транзистор є уніполярним. Канал транзистора є збагачуваним.