Транзистор N-MOSFET Infineon IPP072N10N3GXKSA1, 100В, 80А, комплект 10 шт.
2 330 ₴
- В наявності
- Код: TM154019
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP072N10N3GXKSA1, 100В, 80А, комплект 10 шт.В наявності
2 330 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 10 транзисторів N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPP072N10N3GXKSA1. Монтаж: THT (в отвори) у корпусі PG-TO220-3.
- Комплект: 10 шт.
- Тип: N-MOSFET, збагачуваний канал
- Напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 80 А
- Потужність розсіювання: 150 Вт
- Опір у стані провідності: 7,2 мОм
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
Напруга та струм
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 100 В та витримує струм дрена 80 А. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В.
Потужність та опір
Потужність розсіювання становить 150 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 7,2 мОм.
Корпус та монтаж
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7.2 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 330 ₴