Транзистор N-MOSFET Infineon IPI80N06S407AKSA2, 60V, 58A, OptiMOS-T2, корпус PG-TO262-3 — набір 20 шт.
3 100 ₴
- В наявності
- Код: TM154015
Транзистор N-MOSFET Infineon IPI80N06S407AKSA2, 60V, 58A, OptiMOS-T2, корпус PG-TO262-3 — набір 20 шт.В наявності
3 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPI80N06S407AKSA2 — це напівпровідниковий прилад з технологією OptiMOS®-T2. Модель має номінальний струм 58 А та напругу 60 В.
- Струм стоку 58 А
- Піковий струм 320 А
- Низький опір відкритого каналу 7,4 мОм
- Розсіювана потужність 79 Вт
- Технологія OptiMOS®-T2 від Infineon
- Набір із 20 транзисторів у корпусі PG-TO262-3
Параметри струму та напруги
Транзистор має постійний струм стоку 58 А та напругу стік-витік 60 В. Піковий струм у імпульсному режимі становить 320 А. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Потужність та опір
Максимальна розсіювана потужність становить 79 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 7,4 мОм. Заряд затвора становить 27 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PG-TO262-3 з технологією монтажу THT. Тип транзистора — N-MOSFET з каналом, що збагачується. Поляризація — уніполярна.
Комплектація
Товар поставляється набором із 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 79 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 58 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7.4 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO262-3 |
| Технологія | OptiMOS® -T2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 100 ₴