Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R900P7ATMA1, 800В, 3,9А, PG-TO252-3, набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R900P7ATMA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 800 В та струм 3,9 А. Товар постачається набором із 20 штук у корпусі PG-TO252-3 для поверхневого монтажу (SMD).

• Набір із 20 транзисторів
• Технологія CoolMOS™ P7
• Корпус PG-TO252-3 для SMD монтажу
• Напруга 800 В, струм 3,9 А
• Потужність розсіювання 45 Вт
• Версія ESD

Технологія та захист

Прилад виготовлений за технологією CoolMOS™ P7. Версія: ESD.

Електричні параметри

Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 800 В, а постійний струм витоку — 3,9 А. Потужність розсіювання обмежена 45 Вт, а опір у відкритому стані дорівнює 0,9 Ом. Напруга на затворі може змінюватися в межах ±20 В, а заряд затвора становить 15 нКл. Канал транзистора — збагачуваний.

Корпус та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі PG-TO252-3, що призначений для поверхневого монтажу (SMD). Полярність приладу — уніполярна, тип транзистора — N-MOSFET.