Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R1K2P7, 800В, 3,1А, PG-TO252-3 (IPD80R1K2P7ATMA1) — набір 20 шт.
2 900 ₴
- В наявності
- Код: TM154013
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R1K2P7, 800В, 3,1А, PG-TO252-3 (IPD80R1K2P7ATMA1) — набір 20 шт.В наявності
2 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R1K2P7. Модель виконана в корпусі PG-TO252-3 для поверхневого монтажу (SMD) та виготовлена за технологією CoolMOS™ P7.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 800 В
- Струм дрена: 3,1 А
- Потужність розсіювання: 37 Вт
- Корпус: PG-TO252-3, монтаж SMD
- Технологія: CoolMOS™ P7, версія ESD
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 800 В. Максимальний струм дрена становить 3,1 А, а потужність розсіювання — 37 Вт. Ці параметри визначають робочі характеристики компонента.
Технологія CoolMOS™ P7
Компонент виготовлений за технологією CoolMOS™ P7. Опір у відкритому стані (Rds) становить 1200 мОм. Заряд затвора дорівнює 11 нКл.
Захист ESD та монтаж
Компонент має версію ESD. Монтаж здійснюється методом SMD у корпусі PG-TO252-3. Максимально допустима напруга затвор-джерело становить 20 В.
Транзистор Infineon IPD80R1K2P7 є напівпровідниковим компонентом для електронних схем.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 37 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1200 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 900 ₴