Транзистор N-MOSFET Infineon IPD70R900P7S, 700 В, 3,5 А, 30,5 Вт, PG-TO252-3 (20 шт.)
1 850 ₴
- В наявності
- Код: TM154012
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD70R900P7S, 700 В, 3,5 А, 30,5 Вт, PG-TO252-3 (20 шт.)В наявності
1 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD70R900P7S — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі PG-TO252-3 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 20 одиниць.
- Максимальна напруга стік-витік: 700 В
- Максимальний струм стоку: 3,5 А
- Потужність розсіювання: 30,5 Вт
- Корпус: PG-TO252-3 (SMD монтаж)
- Технологія: CoolMOS™
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга стік-витік становить 700 В. Максимальний струм стоку дорівнює 3,5 А, а потужність розсіювання — 30,5 Вт. Ці характеристики визначають робочі параметри приладу.
Технологія та корпус
Прилад виготовлений за технологією CoolMOS™, що є фірмовим рішенням виробника. Корпус PG-TO252-3 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Тип транзистора — N-MOSFET (польовий).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 30.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 700 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 900 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технологія | CoolMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 850 ₴