Транзистор N-MOSFET Infineon IPD025N06NATMA1, 60В, 90А, PG-TO252-3, 20 шт.
3 570 ₴
- В наявності
- Код: TM154011
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD025N06NATMA1, 60В, 90А, PG-TO252-3, 20 шт.В наявності
3 570 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET Infineon IPD025N06NATMA1 у корпусі PG-TO252-3. Максимальний струм стоку 90 А, максимальна напруга стік-витік 60 В.
- Струм стоку до 90 А
- Напруга стік-витік 60 В
- Опір у відкритому стані 2,5 мОм
- Розсіювана потужність 167 Вт
- Корпус PG-TO252-3 для SMD монтажу
- Технологія OptiMOS™
- Набір із 20 штук
Електричні параметри
Максимально допустимий струм стоку: 90 А.
Опір у відкритому стані (Rds): 2,5 мОм.
Технологія та потужність
Технологія: OptiMOS™.
Максимальна потужність розсіювання: 167 Вт.
Конструкція та монтаж
Корпус: PG-TO252-3.
Тип монтажу: Поверхневий.
Комплектація
У комплекті 20 шт.
Додаткові параметри
Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В.
Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 167 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 90 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технологія | OptiMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 570 ₴