Транзистор N-MOSFET Infineon IPB180N04S4H0, 40В, 180А, корпус PG-TO263-7 (IPB180N04S4H0ATMA1) — набір 10 шт.
3 500 ₴
- В наявності
- Код: TM154010
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB180N04S4H0, 40В, 180А, корпус PG-TO263-7 (IPB180N04S4H0ATMA1) — набір 10 шт.В наявності
3 500 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор Infineon IPB180N04S4H0 — це потужний N-канальний MOSFET із технологією OptiMOS™ T2, Транзистор Infineon IPB180N04S4H0 — це N-канальний MOSFET із технологією OptiMOS™ T2. Компонент має робочий струм 180 А та напругу 40 В.
- Струм стоку 180 А
- Напруга стік-витік 40 В
- Технологія OptiMOS™ T2
- Опір у відкритому стані 1,1 мОм
- Корпус PG-TO263-7 (SMD монтаж)
- Набір із 10 транзисторів
Висока потужність та струм
Транзистор розрахований на постійний струм стоку 180 А та розсіювання потужності до 250 Вт. Розсіювання потужності становить 250 Вт.
Ефективна технологія OptiMOS™ T2
Застосування технології OptiMOS™ T2 забезпечує низький опір у відкритому стані (1,1 мОм) та заряд затвора 173 нКл. Заряд затвора становить 173 нКл.
Зручний монтаж SMD
Компонент виконаний у корпусі PG-TO263-7 із типом монтажу SMD. Тип монтажу — SMD.
Надійна напруга затвора та полярність
Компонент є уніполярним із каналом збагачення, Допустима напруга затвор-витік становить ±20 В. Товар постачається набором із 10 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 180 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1.1 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO263-7 |
| Технологія | OptiMOS™ T2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 500 ₴