Транзистор N-MOSFET Infineon IPB117N20NFDATMA1, 200В, 84А, 300Вт, PG-TO263-3 (5 шт.)
2 540 ₴
- В наявності
- Код: TM154009
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB117N20NFDATMA1, 200В, 84А, 300Вт, PG-TO263-3 (5 шт.)В наявності
2 540 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB117N20NFDATMA1 — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Комплект складається з 5 штук у корпусі PG-TO263-3, що забезпечує зручний монтаж на поверхню (SMD).
- Комплект із 5 транзисторів N-MOSFET
- Напруга дрен-джерело 200 В
- Струм дрену 84 А
- Потужність розсіювання 300 Вт
- Опір у стані провідності 11,7 мОм
- Корпус PG-TO263-3 для SMD монтажу
Потужність та струм
Транзистор розрахований на напругу дрен-джерело 200 В та струм дрену 84 А. Потужність розсіювання становить 300 Вт, що.
Низький опір у відкритому стані
Завдяки технології OptiMOS™ FD опір у стані провідності (Rds(on)) знижено до 11,7 мОм.
Зручний монтаж та надійність
Корпус PG-TO263-3, монтаж SMD. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В.
Компонент є уніполярним із каналом збагачення (N-MOSFET).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 84 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 11.7 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технологія | OptiMOS™ FD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 540 ₴