Транзистор N-MOSFET Infineon IPB014N06NATMA1, 60В, 180А, PG-TO263-7 (комплект 10 шт.)
3 450 ₴
- В наявності
- Код: TM154008
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB014N06NATMA1, 60В, 180А, PG-TO263-7 (комплект 10 шт.)В наявності
3 450 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB014N06NATMA1 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, уніполярний польовий транзистор. Модель виконана в корпусі PG-TO263-7 для поверхневого монтажу (SMD) та реалізує технологію OptiMOS™. Товар постачається комплектом із 10 штук.
- Струм дрена 180 А
- Напруга дрена-джерела 60 В
- Розсіювана потужність 214 Вт
- Опір у стані провідності 1,4 мОм
- Корпус PG-TO263-7 (SMD)
- Комплект із 10 штук
Висока потужність та струм
Компонент працює зі струмом дрена до 180 А при напрузі дрена-джерела 60 В. Розсіювана потужність становить 214 Вт. Опір у стані провідності — 1,4 мОм. Максимальна допустима напруга затвор-джерело становить ±20 В.
Технологія OptiMOS™
Транзистор виготовлений за технологією OptiMOS™ від Infineon Technologies.
Корпус PG-TO263-7 та монтаж SMD
Компонент виконаний у корпусі PG-TO263-7. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 214 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 180 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1.4 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO263-7 |
| Технологія | OptiMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 450 ₴