Транзистор N-MOSFET Infineon IPA80R650CEXKSA2, 800В, 8А, TO220-3 (набір 10 шт.)
2 430 ₴
- В наявності
- Код: TM154007
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA80R650CEXKSA2, 800В, 8А, TO220-3 (набір 10 шт.)В наявності
2 430 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA80R650CEXKSA2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, з максимально допустимою напругою 800 В та струмом до 8 А. Товар поставляється комплектом із 10 штук у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 800 В
- Максимальний струм стоку: 8 А
- Розсіювана потужність: 33 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,56 Ом
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплект: 10 штук
Високовольтна робота
Прилад працює з напругою стік-виток до 800 В,. Максимальний струм стоку становить 8 А, а розсіювана потужність — 33 Вт.
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності дорівнює 0,56 Ом.
Заряд затвора та тип каналу
Заряд затвора становить 45 нКл,. Канал є збагачуваним (enhancement mode),.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 33 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 560 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 430 ₴