Транзистор N-MOSFET Infineon IPA65R1K0CEXKSA1, 650В, 7,2А, TO220FP (набір 20 шт.)
2 820 ₴
- В наявності
- Код: TM154005
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA65R1K0CEXKSA1, 650В, 7,2А, TO220FP (набір 20 шт.)В наявності
2 820 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPA65R1K0CEXKSA1. Компоненти призначені для монтажу на плату (THT) у корпусі TO220FP та розраховані на напругу 650 В і струм 7,2 А.
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 7,2 А
- Потужність розсіювання: 68 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Тип: N-MOSFET, збагачуваний канал
- Кількість у наборі: 20 шт.
Висока напруга та струм
Транзистори витримують напругу дрена-джерела до 650 В, Максимальний струм дрена становить 7,2 А.
Ефективне розсіювання тепла
Потужність розсіювання становить 68 Вт.
Зручний монтаж та комплектність
Тип монтажу: THT (скрізний монтаж). У комплекті постачається 20 штук. Опір у стані провідності становить 860 мОм. Заряд затвора — 15,3 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 68 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 860 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 820 ₴