Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R099C7XKSA1, 650 В, 8 А, TO220FP (набір 5 шт.)
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM154004
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R099C7XKSA1, 650 В, 8 А, TO220FP (набір 5 шт.)В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 5 транзисторів N-MOSFET Infineon IPA60R099C7XKSA1 на технології CoolMOS™ C7. Призначені для роботи з напругою до 650 В та струмом 8 А у корпусі TO220FP для монтажу на плату.
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 8 А (імпульсний 83 А)
- Опір у відкритому стані: 99 мОм
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія: CoolMOS™ C7
- Комплектація: 5 шт.
Висока напруга та струм
Компонент розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 8 А. Імпульсний струм дрена може досягати 83 А. Максимальна розсіювана потужність становить 33 Вт.
Низький опір та заряд затвора
Опір у відкритому стані становить 99 мОм. Заряд затвора дорівнює 42 нКл. Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 33 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 99 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | CoolMOS™ C7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴