Транзистор N-MOSFET Infineon IPA075N15N3GXKSA1, 150В, 43А, TO220FP (5 шт.)
2 290 ₴
- В наявності
- Код: TM154001
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA075N15N3GXKSA1, 150В, 43А, TO220FP (5 шт.)В наявності
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA075N15N3GXKSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, з номінальним струмом до 43 А при напрузі 150 В. Комплект складається з 5 елементів у корпусі TO220FP для монтажу на друковану плату.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 150 В
- Струм стіка: 43 А
- Опір у відкритому стані: 7,5 мОм
- Розсіювана потужність: 39 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні характеристики
Транзистор працює з напругою стік-витік 150 В та витримує струм стіка 43 А. Опір у відкритому стані становить 7,5 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 39 Вт.
Корпус та технологія
Елементи виконані в корпусі TO220FP. Монтаж здійснюється виводами в отвори друкованої плати (THT). Технологія OptiMOS™ 3 визначає структуру кристала.
Комплектація та керування
У пакуванні знаходиться 5 транзисторів. Напруга затвор-витік становить ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 39 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 43 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 290 ₴