Транзистор IGBT Infineon IGB10N60TATMA1, 600В, 10А, D2PAK — набір 10 шт.
2 000 ₴
- В наявності
- Код: TM153966
Транзистор IGBT Infineon IGB10N60TATMA1, 600В, 10А, D2PAK — набір 10 шт.В наявності
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT-транзистор Infineon Technologies IGB10N60TATMA1 у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу. Пристрій розрахований на робочу напругу 600 В та струм колектора 10 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимальна напруга колектор-емітер: 600 В
- Струм колектора: 10 А
- Розсіювана потужність: 110 Вт
- Корпус: D2PAK
- Тип монтажу: Поверхневий
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Технічні параметри
Транзистор типу IGBT має максимальну розсіювану потужність 110 Вт. Напруга колектор-емітер становить 600 В, а допустима напруга на затворі — ±20 В. Ці характеристики визначають межі безпечної експлуатації компонента в електричних ланцюгах.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі D2PAK. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).
Комплектація
Товар постачається набором із 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 10 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 000 ₴