Діод Шоткі Infineon IDH04G65C5, SiC, 650 В, 4 А, PG-TO220-2 — набір 10 шт.
2 240 ₴
- В наявності
- Код: TM153962
Діод Шотткі Infineon IDH04G65C5 — це напівпровідниковий компонент технології CoolSiC™ 5G у корпусі PG-TO220-2 для монтажу на плату (THT). Прилад розрахований на робочу напругу 650 В та струм провідності 4 А.
- Технологія CoolSiC™ 5G на базі SiC
- Максимальна зворотна напруга 650 В
- Струм провідності 4 А, піковий струм 35 А
- Корпус PG-TO220-2 для монтажу THT
- Розсіювана потужність 48 Вт
- Набір із 10 діодів
Технологія CoolSiC™ 5G
Компонент виготовлений на основі карбіду кремнію (SiC) з використанням технології CoolSiC™ 5G.
Електричні параметри
Максимальна зворотна напруга діода становить 650 В, а номінальний струм провідності — 4 А. У імпульсному режимі прилад витримує піковий струм до 35 А. Максимальна напруга провідності дорівнює 1,8 В.
Теплові характеристики та монтаж
Діод має максимальну розсіювану потужність 48 Вт. Параметр 'Товщина радіатора' вказує на діапазон 1,17–137 мм. Ток витоку становить 0,8 мкА.
Комплектація
Товар поставляється як набір із 10 однакових діодів. Кожна одиниця має структуру напівпровідника типу «одиночний діод».
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 48 Вт |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 35 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 650 В |
| Максимальна пряма напруга | 1.8 В |
| Максимальний зворотний струм | 0.8 мкА |
| Максимальний прямий струм | 4 А |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Вставний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-2 |
| Технологія | CoolSiC™ 5G, SiC |
| Товщина радіатора | 1.17–137 |
- Ціна: 2 240 ₴