Діод Шоткі GeneSiC GD30MPS06J, SiC, 650 В, 30 А, TO263-7 (5 шт.)
2 070 ₴
- В наявності
- Код: TM153534
Діод Шоткі GeneSiC GD30MPS06J, SiC, 650 В, 30 А, TO263-7 (5 шт.)В наявності
2 070 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Діод Шоткі GeneSiC GD30MPS06J — це напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO263-7 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 5 одиниць. Максимальна постійна зворотна напруга — 650 В, максимальний прямий струм — 30 А.
- Технологія SiC
- Максимальна зворотна напруга 650 В
- Струм провідності 30 А
- Корпус TO263-7 для SMD-монтажу
- Імпульсний струм 168 А
- Комплект із 5 діодів
Технологія SiC
Технологія SiC (карбід кремнію) використовується у виробництві компонента. Максимальний струм провідності становить 30 А.
Електричні параметри
Максимальна зворотна напруга становить 650 В. Максимальний імпульсний струм — 168 А. Максимальна пряма напруга — 1,5 В.
Монтаж та комплектація
Компонент виконаний у корпусі TO263-7 для поверхневого монтажу (SMD). Товар поставляється як набір із 5 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 168 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 650 В |
| Максимальна пряма напруга | 1.5 В |
| Максимальний прямий струм | 30 А |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Виробник | MPS |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO263-7 |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 070 ₴