Діодний модуль GeneSiC GD2X100MPS06N, 650 В, 108 А, SOT227B

Діодний модуль GeneSiC GD2X100MPS06N — це напівпровідниковий компонент із технологією SiC,

• Технологія SiC
• Максимальна зворотна напруга 650 В
• Струм провідності 108 А на канал
• Час готовності 10 нс
• Корпус SOT227B з прикручуваним монтажем

Висока напруга та струм

Модуль розрахований на максимальну зворотну напругу 650 В та номінальний струм провідності 108 А на канал.

Технологія SiC та швидкість

Технологія SiC. Час готовності компонента становить 10 нс.

Конструкція та монтаж

Модуль має подвійну незалежну структуру та виконаний у корпусі SOT227B. Механічний та електричний монтаж здійснюється за допомогою прикручування.