Транзистор IGBT модуль STARPOWER GD10PJX65F1S, 650V, 10A, корпус F1.1
3 010 ₴
- В наявності
- Код: TM153532
Транзистор IGBT модуль STARPOWER GD10PJX65F1S, 650V, 10A, корпус F1.1В наявності
3 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT модуль STARPOWER GD10PJX65F1S — напівпровідниковий компонент. Поєднує IGBT транзистор та діод у корпусі F1.1.
- Максимальна зворотна напруга 650 В
- Номінальний струм колектора 10 А
- Максимально допустимий струм колектора 20 А
- Корпус F1.1
- Технологія Trench FS IGBT
- Вбудований NTC термістор
Технологія
Модуль використовує технологію Trench FS IGBT.
Електричні параметри
Струм колектора (Ic): 10 А. Максимально допустимий струм колектора: 20 А. Максимальна зворотна напруга: 650 В.
Монтаж
Тип монтажу: вставний (plug-in).
Топологія та склад
Топологія: boost chopper, трифазний діодний міст, трифазний IGBT міст з виходом OE. Наявний NTC термістор.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Тип монтажу | Вставний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | F1.1 |
| Виробник | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 010 ₴