Транзистор NEXPERIA GAN041-650WSBQ GaN HEMT 650V 33.4A

Транзистор NEXPERIA GAN041-650WSBQ — це напівпровідниковий прилад на основі технології GaN. Він поєднує структуру N-JFET та N-MOSFET у каскадному виконанні з параметрами 650 В та 33,4 А.

• Технологія GaN (нітрид галію)
• Напруга дрена-джерела 650 В
• Струм дрена 33,4 А
• Опір у відкритому стані 35 мОм
• Імпульсний струм 240 А
• Корпус SOT429, TO247

Висока напруга та струм

Прилад розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 33,4 А.

Параметри GaN-структури

Завдяки технології GaN та структурі HEMT, пристрій має опір у відкритому стані — 35 мОм.

Імпульсна потужність та монтаж

Транзистор здатний витримувати імпульсний струм дрена до 240 А. Максимальна розсіювана потужність становить 187 Вт,