Транзистор N/P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G4616, 40 В, 8 А, SOP8, комплект 30 шт. (G4616-GFS)

Комплект із 30 транзисторів GOFORD SEMICONDUCTOR G4616 типу N/P-MOSFET у корпусі SOP8. Монтаж на поверхню (SMD).

• Комплект із 30 транзисторів
• Тип: N/P-MOSFET, Trench
• Напруга стік-виток: 40/-40 В
• Струм стоку: 8/-7 А
• Потужність розсіювання: 2/2,8 Вт
• Корпус: SOP8, монтаж SMD

Тип та структура

Транзистори мають структуру N/P-MOSFET із технологією Trench та збагачуваним каналом. Набір містить транзистори N-канальні та P-канальні.

Електричні параметри

Максимальна напруга між стоком і витоком становить 40 В (для N-каналу) та -40 В (для P-каналу). Струм стоку досягає 8 А для N-каналу та -7 А для P-каналу. Розсіювана потужність транзисторів становить 2 Вт для N-каналу та 2,8 Вт для P-каналу.

Керування та заряд затвора

Напруга між затвором і витоком обмежена ±20 В. Заряд затвора дорівнює 12 нКл для N-каналу та 13 нКл для P-каналу.