Транзистор N-MOSFET GeneSiC G3R75MT12K, SiC, 1200 В, 29 А, TO247-4 (3 шт.)
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM153308
Транзистор N-MOSFET GeneSiC G3R75MT12K, SiC, 1200 В, 29 А, TO247-4 (3 шт.)В наявності
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET GeneSiC G3R75MT12K — це силовий напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC) з технологією G3R™. У комплекті поставляється 3 одиниці в корпусі TO247-4 з виведенням Кельвіна.
- Технологія SiC та G3R™
- Напруга дрена-джерела 1,2 кВ
- Струм дрена 29 А, імпульсний до 80 А
- Опір у стані провідності 75 мОм
- Корпус TO247-4 з виведенням Кельвіна
- Комплект з 3 транзисторів
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1,2 кВ та постійний струм дрена 29 А.
Технічні характеристики
Опір у стані провідності становить 75 мОм.
Імпульсна потужність
Прилад витримує імпульсний струм дрена до 80 А та має розсіювану потужність 207 Вт.
Тип монтажу
Компонент призначений для встановлення на плату методом THT (скрізь отвори). Корпус TO247-4 з виведенням Кельвіна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 207 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 29 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 75 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247-4 |
| Виробник | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | G3R™, SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 950 ₴