Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G370P10K, -100В, -34А, TO252 (набір 20 шт.)
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM153303
Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G370P10K, -100В, -34А, TO252 (набір 20 шт.)В наявності
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-MOSFET транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G370P10K у корпусі TO252 для SMD-монтажу. Комплект складається з 20 одиниць, з максимальною потужністю розсіювання 94 Вт.
- Тип транзистора: P-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга дрена-джерела: -100 В
- Струм дрена: -34 А
- Потужність розсіювання: 94 Вт
- Корпус: TO252 для SMD-монтажу
- Комплектація: 20 шт.
Електричні характеристики
Транзистор G370P10K є уніполярним P-MOSFET з каналом збагачення та технологією Trench. Максимальна напруга дрена-джерела становить -100 В, а струм дрена — -34 А. Потужність розсіювання дорівнює 94 Вт, заряд затвора — 98 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO252 для SMD-монтажу. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 94 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Виробник | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 950 ₴