Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06M, P-MOSFET, TO263, 105 Вт — набір 30 шт.
2 540 ₴
- В наявності
- Код: TM153266
Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06M, P-MOSFET, TO263, 105 Вт — набір 30 шт.В наявності
2 540 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-MOSFET транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06M у корпусі TO263. Призначений для поверхневого монтажу, має максимальну потужність розсіювання 105 Вт.
- Тип транзистора: Польовий (P-MOSFET)
- Корпус: TO263
- Тип монтажу: Поверхневий
- Максимальна потужність розсіювання: 105 Вт
- Максимальна напруга затвор-витік: 20 В
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом типу P. Максимальна потужність розсіювання становить 105 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 20 В.
Конструкція та монтаж
Виріб виконаний у корпусі TO263, що передбачає поверхневий монтаж (SMD). Технологія виготовлення — Trench. Поляризація транзистора — уніполярна.
Комплектація
У комплекті поставляється 30 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 105 Вт |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO263 |
| Виробник | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 540 ₴