Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQT7N10LTF, 100В, 1,36А, SOT223 (набір 30 шт.)
1 930 ₴
- В наявності
- Код: TM153159
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQT7N10LTF, 100В, 1,36А, SOT223 (набір 30 шт.)В наявності
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQT7N10LTF — це уніполярний польовий транзистор з каналом типу N у корпусі SOT223 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Струм стіка: 1,36 А
- Потужність розсіювання: 2 Вт
- Корпус: SOT223 (SMD монтаж)
- Кількість у наборі: 30 шт.
Технічні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та максимальний струм стіка 1,36 А. Потужність розсіювання становить 2 Вт, а опір у відкритому стані — 0,38 Ом.Максимальна напруга затвор-витік 20 В
Технологія та монтаж
Пристрій виготовлений за технологією QFET®. Корпус SOT223 призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
У пакуванні знаходиться 30 транзисторів ONSEMI FQT7N10LTF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.36 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 380 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 930 ₴