Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQB55N10TM, 100В, 38.9А, D2PAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQB55N10TM — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, польовий транзистор. Модель розрахована на напругу до 100 В та струм до 38,9 А. Товар поставляється набором із 10 штук у корпусі D2PAK для монтажу на друковані плати.

• Напруга дрена-джерела: 100 В
• Струм дрена: 38,9 А
• Розсіювана потужність: 155 Вт
• Опір у стані провідності: 26 мОм
• Корпус: D2PAK, монтаж SMD
• Набір: 10 транзисторів

Потужність та струм

Транзистор витримує напругу дрена-джерела до 100 В та струм дрена до 38,9 А. Максимальна розсіювана потужність становить 155 Вт.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 26 мОм.

Технологія QFET® та монтаж

Компонент виготовлений за технологією QFET®. Корпус D2PAK та тип монтажу SMD дозволяють встановлювати компонент на поверхню плати. Зарядка затвора становить 98 нКл.