Транзистор IGBT ONSEMI FGY160T65SPD-F085, 650В, 160А, TO247-3 (комплект 2 шт.)
2 570 ₴
- В наявності
- Код: TM153080
Транзистор IGBT ONSEMI FGY160T65SPD-F085, 650В, 160А, TO247-3 (комплект 2 шт.)В наявності
2 570 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT-транзистор ONSEMI FGY160T65SPD-F085 у корпусі TO247-3 IGBT-транзистор. Комплект складається з 2 одиниць.
- Струм колектора 160 А для потужних навантажень
- Напруга колектор-емітер 650 В
- Корпус TO247-3 з монтажем THT
- Потужність розсіювання 441 Вт
- Імпульсний струм до 480 А
- Комплект із 2 транзисторів
Висока навантажувальна здатність
Транзистор розрахований на постійний струм колектора 160 А та імпульсний струм до 480 А.
Надійна ізоляція та керування
Максимальна напруга колектор-емітер становить 650 В. Напруга керування затвором обмежена ±20 В, а заряд затвора — 163 нКл.
Ефективне відведення тепла
Потужність розсіювання досягає 441 Вт. Корпус TO247-3 та монтаж THT (через отвори).
Комплектація
У комплект поставки входять 2 транзистори IGBT.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 441 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 480 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 570 ₴