Транзистор IGBT ONSEMI FGD3245G2-F085, 450 В, 23 А, DPAK, 10 шт.

Транзистор IGBT виробника ONSEMI, модель FGD3245G2-F085. Пристрій має максимальну напругу колектор-емітер 450 В та струм колектора 23 А. Корпус DPAK забезпечує поверхневий монтаж.

• Тип транзистора: IGBT (польовий)
• Максимальна напруга колектор-емітер: 450 В
• Максимальний струм колектора: 23 А
• Потужність розсіювання: 150 Вт
• Корпус: DPAK, поверхневий монтаж
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимальна потужність розсіювання становить 150 Вт. Напруга колектор-емітер обмежена значенням 450 В, а максимальний струм колектора — 23 А. Зарядка затвора дорівнює 23 нКл, напруга затвор-емітер — ±10 В.

Конструкція та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі DPAK для поверхневого монтажу. Версія пристрою позначена як ESD. Тип транзистора — польовий (IGBT).

Додаткові характеристики та застосування

Транзистор має властивості «logic level». Застосування: системи запалювання. У комплекті поставляється 10 шт. транзисторів.