Транзистор IGBT ONSEMI FGB40T65SPD-F085, 650В, 40А, D2PAK, логічний рівень (5 шт.)

IGBT-транзистор ONSEMI FGB40T65SPD-F085 у корпусі D2PAK із захистом від електростатичного розряду (ESD). Комплект складається з 5 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).

• Напруга колектор-емітер: 650 В
• Струм колектора: 40 А (імпульсний до 120 А)
• Потужність розсіювання: 134 Вт
• Корпус D2PAK, монтаж SMD
• Логічний рівень керування (logic level)
• Комплект: 5 шт.

Потужність та струм

Транзистор працює з напругою колектор-емітер до 650 В та постійним струмом колектора 40 А. У імпульсному режимі струм може досягати 120 А, що вказує на здатність працювати в імпульсному режимі. Потужність розсіювання становить 134 Вт.

Керування логічним рівнем

Пристрій має властивість «логічний рівень» (logic level), що спрощує інтеграцію в схеми керування з логічним рівнем сигналу. Заряд затвора дорівнює 36 нКл, що впливає на швидкість перемикання.

Призначення

Згідно з даними виробника, транзистор застосовується в системах запалювання. Напруга на затворі обмежена ±20 В, що відповідає стандартам керування для даного класу приладів.