Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDV303N, SOT23, 25В, 0,68А (набір 80 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDV303N — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в компактному корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD) і поставляється набором із 80 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Максимальна напруга стік-витік: 25 В
• Струм стоку: 0,68 А
• Потужність розсіювання: 0,35 Вт
• Вхід логічного рівня (logic level)
• Кількість у комплекті: 80 шт.

Електричні параметри та потужність

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 25 В та струм стоку 0,68 А. Потужність розсіювання становить 0,35 Вт. Ці параметри визначають робочий діапазон компонента в електронних схемах.

Особливості керування

Пристрій має вхід логічного рівня (logic level). Максимальна допустима напруга затвор-витік становить ±8 В.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі SOT23. Монтаж — SMD (поверхневий).