Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8896, 30V, 15A, SO8 (набір 20 шт.)
2 080 ₴
- В наявності
- Код: TM153036
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8896, 30V, 15A, SO8 (набір 20 шт.)В наявності
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8896 — це польовий транзистор з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD) та реалізує технологію PowerTrench®.
- Тип транзистора: N-MOSFET, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Постійний струм стіка: 15 А (імпульсний до 110 А)
- Опір у відкритому стані: 6 мОм
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Комплектація: набір із 20 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та постійний струм стіка 15 А. У імпульсному режимі струм стіка може досягати 110 А.
Технічні характеристики
Транзистор є уніполярним пристроєм типу N-MOSFET з каналом збагачення. Виробник використовує технологію PowerTrench®. Потужність розсіювання становить 2,5 Вт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 15 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 080 ₴