Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6679AZ, -30В, -13А, SO8 (набір 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6679AZ — це уніполярний компонент із каналом збагачення, P-MOSFET транзистор. Модель виконана в корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD) та реалізує технологію PowerTrench®.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: -30 В
• Струм дрена: до -13 А
• Опір у провідному стані: 14,8 мОм
• Корпус: SO8, монтаж SMD
• Комплектація: набір із 20 штук

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до -30 В та витримує струм дрена до -13 А. Максимальна розсіювана потужність становить 2,5 Вт. Напруга затвор-джерело обмежена ±25 В.

Низький опір та швидкість перемикання

Опір у провідному стані (Rds(on)) дорівнює 14,8 мОм. Загальний заряд затвора становить 96 нКл.

Зручність монтажу та комплектація

Компонент виготовлений у корпусі SO8 із технологією монтажу SMD. Товар поставляється набором із 20 штук. Використання технології PowerTrench®.