Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF51N25, 250В, 30А, TO220FP (набір 10 шт.)
2 660 ₴
- В наявності
- Код: TM153034
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF51N25, 250В, 30А, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
2 660 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF51N25 — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі TO220FP. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 250 В та струм стоку 30 А при потужності розсіювання 38 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 250 В
- Максимальний струм стоку: 30 А
- Потужність розсіювання: 38 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж вставний
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 250 В та максимально допустимий струм стоку 30 А. Напруга затвор-витік обмежена значенням 30 В. Опір у відкритому стані (Rds) становить 48 мОм, а максимальна потужність розсіювання — 38 Вт.
Конструкція та монтаж
Компонент виготовлений за технологією UltraFET® та має корпус TO220FP. Тип монтажу — вставний (THT). Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом.
Технічні особливості та комплектація
Компонент має заряд затвора 70 нКл. У наборі постачається 10 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 38 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 250 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 30 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 48 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | UltraFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 660 ₴