Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP33N25, 250В, 20,4А, TO220AB (набір 10 шт.)
2 050 ₴
- В наявності
- Код: TM153031
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP33N25, 250В, 20,4А, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 050 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP33N25 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. У комплекті постачається 10 одиниць у корпусі TO220AB з типом монтажу THT (вставний).
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 250 В
- Постійний струм дрена: 20,4 А
- Імпульсний струм дрена: 132 А
- Розсіювана потужність: 235 Вт
- Опір у стані провідності: 94 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 250 В та постійний струм дрена 20,4 А. Імпульсний струм може досягати 132 А, а максимальна розсіювана потужність становить 235 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 94 мОм.
Корпус та монтаж
Прилад виконаний у корпусі TO220AB. Монтаж здійснюється методом THT (скрізний монтаж), що передбачає встановлення в отвори друкованої плати.
Комплектація
Упаковка містить 10 транзисторів FDP33N25.
Полярність та тип каналу
Прилад є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення (enhancement).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 235 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 250 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 20.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 94 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 050 ₴