Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN337N, 30V, 2,2A, SuperSOT-3 (30 шт.)
2 190 ₴
- В наявності
- Код: TM153029
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN337N, 30V, 2,2A, SuperSOT-3 (30 шт.)В наявності
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN337N — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 30 елементів у корпусі SuperSOT-3.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 30 В
- Струм дрена: 2,2 А
- Опір у стані провідності: 80 мОм
- Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
- Комплектація: 30 шт.
Керування логічним рівнем
Транзистор має напругу затвор-джерело ±8 В та підтримує логічний рівень керування (logic level). Це означає, що транзистор може керуватися сигналами логічного рівня. Заряд затвора становить 9 нКл.
Тип транзистора
Це уніполярний польовий транзистор типу N-MOSFET з каналом збагачення. Уніполярність означає, що струм переноситься носіями заряду одного типу. Канал збагачення відкривається додатною напругою на затворі.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 80 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 190 ₴