Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS3660S, PQFN8, 30 В, 30 А (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS3660S — це польовий транзистор з подвійним каналом у корпусі PQFN8. Призначений для поверхневого монтажу, працює з напругою 30 В та струмом до 30 А або 60 А залежно від конфігурації.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Напруга стік-витік: 30 В
• Струм стіка: 30 А / 60 А
• Опір у відкритому стані: 11 мОм / 2,6 мОм
• Корпус: PQFN8
• Тип монтажу: поверхневий
• Кількість у наборі: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор має напругу стік-витік 30 В та напругу затвор-витік ±20 В. Струм стіка становить 30 А або 60 А, а опір у відкритому стані — 11 мОм або 2,6 мОм. Потужність розсіювання — 2,2 Вт або 2,5 Вт. Заряд затвора — 29 нКл або 87 нКл.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі PQFN8 для поверхневого монтажу (SMD). Канал збагачуваний, полярність — уніполярна.

Комплектація

У наборі 10 транзисторів ONSEMI FDMS3660S. Символ виробника: FDMS3660S.