Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDMC86139P, WDFN8, -100В, -15А (комплект 10 шт.)
2 370 ₴
- В наявності
- Код: TM153027
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDMC86139P, WDFN8, -100В, -15А (комплект 10 шт.)В наявності
2 370 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDMC86139P — уніполярний компонент у корпусі WDFN8 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 10 одиниць, з максимальною розсіюваною потужністю 40 Вт.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: -100 В
- Струм дрена: -15 А
- Потужність розсіювання: 40 Вт
- Корпус: WDFN8, монтаж SMD
- Комплектація: 10 шт.
Тип та полярність транзистора
Компонент є уніполярним P-MOSFET із каналом збагачення. Така конфігурація визначає специфіку керування та підключення у електронних схемах.
Напруга та струм
Максимальна напруга дрена-джерела становить -100 В, а допустимий струм дрена — -15 А. Напруга затвор-джерело обмежена значенням ±25 В.
Потужність та опір у провідності
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 40 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 104 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | WDFN8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 370 ₴