Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMC7660, 30V, 40A, PQFN8 (набір 30 шт.)
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM153026
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMC7660, 30V, 40A, PQFN8 (набір 30 шт.)В наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMC7660 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, польовий транзистор. Компонент виконаний у корпусі PQFN8 для монтажу на поверхню плати (SMD) та реалізує технологію PowerTrench®.
- Струм стоку 40 А
- Напруга стік-витік 30 В
- Опір у відкритому стані 3,3 мОм
- Корпус PQFN8, монтаж SMD
- Технологія PowerTrench®
- Комплект: 30 шт.
Комутаційні характеристики
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стоку 40 А. Опір у відкритому стані становить 3,3 мОм. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, а сумарний заряд затвора дорівнює 86 нКл.
Теплові характеристики
Максимальна розсіювана потужність компонента становить 41 Вт. Корпус PQFN8 та тип монтажу SMD.
Корпус та монтаж SMD
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 41 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 40 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.3 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PQFN8 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴