Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDMC2523P, 42 Вт, MLP8 (набір 10 шт.)
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM153025
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDMC2523P, 42 Вт, MLP8 (набір 10 шт.)В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний польовий транзистор ONSEMI FDMC2523P у корпусі MLP8. Пристрій має максимальну потужність розсіювання 42 Вт та опір у відкритому стані 3600 мОм.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Максимальна потужність розсіювання: 42 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 3600 мОм
- Максимальна напруга затвор-витік: 30 В
- Корпус: MLP8, поверхневий монтаж
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом типу «wzbogacany» (збагачений). Максимально допустима напруга затвор-витік становить 30 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 3600 мОм. Заряд затвора — 9 нКл.
Конструкція та монтаж
Компонент виготовлений за технологією QFET®. Корпус MLP8 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Полярність пристрою — уніполярна.
Комплектація
У наборі постачається 10 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 42 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3600 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | MLP8 |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴