Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD8880, 30В, 58А, DPAK — набір 20 шт.
1 860 ₴
- В наявності
- Код: TM153022
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD8880, 30В, 58А, DPAK — набір 20 шт.В наявності
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD8880 — це уніполярний компонент у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 20 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Максимальний струм стоку: 58 А
- Потужність розсіювання: 55 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Потужність та струм
Максимально допустимий струм стоку становить 58 А, а потужність розсіювання — 55 Вт.
Напруга стік-витік
Максимально допустима напруга стік-витік дорівнює 30 В.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений у корпусі DPAK із застосуванням технології PowerTrench®. Тип монтажу — поверхневий (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 55 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 58 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 15 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 860 ₴