Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD850N10L, 100В, 11,1А, DPAK (набір 20 шт.)
2 310 ₴
- Немає в наявності
- Код: TM153021
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD850N10L, 100В, 11,1А, DPAK (набір 20 шт.)Немає в наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерТранзистор N-MOSFET ONSEMI FDD850N10L — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Струм стіка: 11,1 А
- Потужність розсіювання: 50 Вт
- Опір у відкритому стані: 75 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та постійний струм стіка 11,1 А. Потужність розсіювання становить 50 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 75 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
У пакеті постачається 20 транзисторів ONSEMI FDD850N10L.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 50 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 75 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴