Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD8451, 40В, 28А, DPAK (набір 30 шт.)
2 290 ₴
- В наявності
- Код: TM153020
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD8451, 40В, 28А, DPAK (набір 30 шт.)В наявності
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD8451 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD) та реалізує технологію PowerTrench®. У комплекті постачається 30 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 40 В
- Струм стоку: 28 А
- Розсіювана потужність: 30 Вт
- Опір у відкритому стані: 41 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Комплектація: 30 шт.
Потужність та струм
Компонент працює зі струмом стоку 28 А та витримує напругу стік-витік 40 В. Розсіювана потужність становить 30 Вт, що визначає тепловий режим роботи. Допустима напруга затвор-витік дорівнює ±20 В.
Опір у відкритому стані
Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 41 мОм. Цей параметр впливає на втрати енергії при проходженні струму через транзистор. Низький опір сприяє зменшенню нагріву компонента під навантаженням.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 28 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 41 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 290 ₴