Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD7N20TM, 200В, 3А, DPAK (набір 20 шт.)
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM153019
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD7N20TM, 200В, 3А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD7N20TM — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель має максимальну напругу «дрен-джерело» 200 В та струм дрену 3 А. Товар постачається набором із 20 одиниць у корпусі DPAK для поверхневого монтажу.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрен-джерело: 200 В
- Струм дрену: 3 А
- Розсіювана потужність: 43 Вт
- Опір у стані провідності: 690 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж: поверхневий
- Комплектація: набір із 20 транзисторів
Напруга та струм
Максимальна напруга «дрен-джерело» становить 200 В, а постійний струм дрену — 3 А. Ці параметри визначають електричні межі роботи транзистора в схемі.
Потужність та опір
Максимальна розсіювана потужність становить 43 Вт. Максимальна напруга «затвор-джерело» становить 30 В. У стані провідності опір каналу (Rds(on)) дорівнює 690 мОм.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 43 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 690 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴